什么是离子注入（Implant）？
离子注入是半导体制造中一种关键的掺杂工艺，通过将高能离子束打入硅晶圆表面，改变其电学特性，从而形成晶体管所需的P型或N型区域。
离子注入的基本流程
- 离子源生成：从气体或固体材料中产生所需掺杂元素（如硼、磷、砷）的离子。
- 加速与筛选：离子被电场加速，并通过质量分析器筛选出目标离子。
- 注入晶圆：高能离子束垂直轰击硅片表面，嵌入预定深度。
- 退火处理：高温退火修复晶格损伤并激活掺杂原子。
为什么离子注入重要？
相较于传统的扩散掺杂，离子注入具有剂量精确、掺杂深度可控、低温工艺等优势，是现代纳米级集成电路制造不可或缺的步骤。
常见掺杂元素
- 硼（Boron）：用于形成P型区域。
- 磷（Phosphorus） 和 砷（Arsenic）：用于形成N型区域。