什么是离子注入？
离子注入（Ion Implantation，简称 Implant）是半导体制造中一种关键的掺杂工艺。通过将高能离子束打入硅晶圆表面，改变其电学特性，从而形成晶体管所需的P型或N型区域。
离子注入的基本原理
在离子注入过程中，首先将掺杂元素（如硼、磷、砷等）电离成带电离子，然后通过电场加速至高能量状态，最后精确地轰击到晶圆特定区域。注入后的晶圆通常需要经过退火处理，以修复晶格损伤并激活掺杂原子。
离子注入的优势
- 掺杂浓度和深度可精确控制；
- 适用于低温工艺，避免高温扩散带来的问题；
- 可实现复杂图案的精准掺杂；
- 重复性好，适合大规模集成电路生产。
典型应用
离子注入广泛应用于CMOS工艺中的源/漏区形成、阱区掺杂、阈值电压调整等关键步骤，是现代芯片制造不可或缺的核心技术之一。